Transistores

Produtos relacionados à

[+]
  • Transistor de GaN abril/2013
    Transistor de GaN
    viabiliza circuitos de radiofrequência

    Integrada por transistores compostos de nitreto de gálio (GaN), esta série inclui os modelos RFHA3942, para dissipar até 35 W, e RFHA3944, compatível com até 65 W, viabilizando circuitos de elevada linearidade que exijam retração linear ou baixa incidência de espúrios. Voltada para circuitos geradores de ondas contínuas em banda ampla (desde tensão contínua até 4 GHz), viabiliza igualmente aplicações baseadas em pulsos de potência.

  • Transistor de potência pulsada janeiro/2013
    Transistor de potência pulsada
    opera com banda larga a +50 V

    Em invólucro de cerâmica flangeado de Cu/Mo/Cu, o MAGX-002735-040L00 fornece potência de pico de 40 W à eficiência de dreno de 55%, com ganho mínimo de 10,5 dB por toda a faixa de frequência de 2,7 a 3,5 GHz. De metalização dourada, apresenta otimização de desempenho quando operado a +50 V usando pulsos de 300 µs e sinal pulsado de ciclo de serviço de 10%. É indicado para aplicações em radar pulsado, na área civil ou militar.

  • Transistores de potência junho/2010
    Transistores de potência
    apresentam baixa perda de energia

    A série IGBT 1200V reduz o impacto ambiental causado por aparelhos domésticos, sistemas HVAC e máquinas industriais, minimizando as fontes de perda de energia nos circuitos de controle de motores. Os transistores STGW30N120KD e STGW40N120KD são IGBTs, que apresentam baixa perda por condução, e por comutação, graças ao processo PowerMesh™ da ST. O encapsulamento TO-247 reduz o número de componentes, pois integra o diodo de freewheeling ultrarrápido. A série pode ser usada em linhas de alta tensão, como 440 V ou 480 V e 30 A ou 40 A.

  • Transistor de potência abril/2010
    Transistor de potência
    trabalha com 1.200 V

    Reduz a perda de energia por condução e por comutação nos circuitos de controle de motores. Disponível nos modelos STGW30N120KD e STGW40N120KD, o IGBT de 1.200 V resiste aos curtos-circuitos de até 10 µs. Utiliza o PowerMESH™, que proporciona maior ganho de eficiência energética, e possui encapsulamento TO-247 compacto, padrão da indústria, que minimiza o número de componentes, pois integra o diodo de freewheeling ultrarrápido exigido pela maioria dos circuitos.

  • Transistor MOS agosto/2008
    Transistor MOS
    dispensa chumbo na composição

    A série se constitui dos componentes IRFP3306PbF, IRFP4410ZPbF e IRFP3077PbF, todos fabricados para simplificar o descarte pós-obsolescência. Garantindo rupturas em tensões respectivas de 60, 75 e 100 V, visa a aplicações em fontes chaveadas e unidades de energia ininterrupta, bem como ferramentas elétricas e empilhadeiras. Montada em cápsula TO-247, oferece índice de dissipação superior ao do tradicional TO-220.

          Dentro desta linha de produtos, o site NEI oferece algumas categorias de produtos relacionados à Transistores.

          Top Five

          Conheça os 5 fornecedores preferidos pelo mercado industrial nesta categoria, segundo indicação feita pelos próprios especificadores e compradores industriais.

          ...aguarde...