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Transistor MOS
junho/2014

Transistor MOS assegura baixa indutância intrínseca

Caracterizada pela baixa resistência (0,29 ohms) em condução entre dreno e supridouro, a série TPH3002 isola até 600 V, oferecendo ainda alternativas de elet...
Transistor de GaN
abril/2013

Transistor de GaN viabiliza circuitos de radiofrequência

Integrada por transistores compostos de nitreto de gálio (GaN), esta série inclui os modelos RFHA3942, para dissipar até 35 W, e RFHA3944, compatível com até...
Transistor de potência pulsada
janeiro/2013

Transistor de potência pulsada opera com banda larga a +50 V

Em invólucro de cerâmica flangeado de Cu/Mo/Cu, o MAGX-002735-040L00 fornece potência de pico de 40 W à eficiência de dreno de 55%, com ganho mínimo de 10,5 ...
Transistores de potência
junho/2010

Transistores de potência apresentam baixa perda de energia

A série IGBT 1200V reduz o impacto ambiental causado por aparelhos domésticos, sistemas HVAC e máquinas industriais, minimizando as fontes de perda de energ...
Transistor de potência
abril/2010

Transistor de potência trabalha com 1.200 V

Reduz a perda de energia por condução e por comutação nos circuitos de controle de motores. Disponível nos modelos STGW30N120KD e STGW40N120KD, o IGBT de 1.2...
Transistor MOS
agosto/2008

Transistor MOS dispensa chumbo na composição

A série se constitui dos componentes IRFP3306PbF, IRFP4410ZPbF e IRFP3077PbF, todos fabricados para simplificar o descarte pós-obsolescência. Garantindo rupt...
Módulos IGBT
junho/2008

Módulos IGBT suportam correntes de até 200 A

Fabricados em oito versões, para tensões de 600 a 1.200 V e correntes de 75 a 200 A, operam em freqüências de comutação de 8 a 60 kHz e em freqüências superi...
Transistor bipolar SMD
abril/2007

Transistor bipolar SMD oferece saturação reduzida

Projetada para aplicações em comutação de tensão baixa, esta série permite escolher o encapsulamento entre os padrões WDFN6, WDFN3, SOT-23, SOT-563 ou ChipFE...
Transistor de GaN
abril/2007

Transistor de GaN obtém ganho de 16 dB

Consistindo de família de transistores HEMT (High Electron Mobility Transistor) de nitreto de gálio (GaN) de alta potência, destina-se aos clientes de base s...
Mesa de composição
agosto/2006

Mesa de composição usa-se na montagem de letreiros

Mesa de composição usa-se na montagem de letreiros A máquina Mult Cut é uma mesa de composição, usada na montagem de letreiros, que utiliza tiras magnetizada...
Módulo IGBT
maio/2006

Módulo IGBT facilita conexão elétrica com terminais ca/cc

De perfil baixo e otimizado para facilidade de conexão elétrica com terminais ca/cc em extremidades opostas, trabalha com tensões de 600, 1.200 e 1.700 V e c...
Transistor de RF
maio/2006

Transistor de RF tem baixa figura de ruído

Produzido com tecnologia SiGe:C (silício-germânio carbono), apresenta figura de ruído de 0,75 dB e ganho de até 19 dB em freqüência de 6 GHz. O transistor da...